继韩系大厂三星电子(Samsung Electronics)大动作以1Gb颗粒压境512Mb地盘，近期台系DRAM厂亦惊见1Gb杀手！采72纳米工艺生产1Gb产品的瑞晶半导体，11月产量将大幅拉升至1,500万颗，预计12月更将激增至2,000万颗，由于瑞晶营运策略锁定生产1Gb产品，相较于其它台厂目前仍以512Mb为主轴，瑞晶大量开出1Gb产品，不仅震惊业界，更让1Gb价格压力快速浮现，目前有效测试颗粒(eTT)报价已跌破2美元，台系DRAM厂对此忧心忡忡。

由日系DRAM大厂尔必达(Elpida)与力晶所合资成立瑞晶，营运策略相当特殊，锁定生产1Gb DDR2颗粒，显见其看好1Gb取代512Mb趋势，并趁着其它台厂在1Gb出货量仍不高，且部分业者仍以成本较高的90纳米工艺生产之际，精准且快速地以72纳米工艺卡位1Gb世代市场。

值得注意的是，瑞晶10月1Gb颗粒产出数量还不到500万颗，11月却一口气拉升至约1,500万颗，由2家母公司尔必达和力晶各分得一半产出，后端封装业务则分别交由力成和日月鸿，瑞晶预计12月1Gb产出更将大幅拉升至2,000万颗，扩产速度之快，令DRAM同业相当吃惊。

事实上，近期DRAM市场不仅主流512Mb价格愁云惨雾，1Gb价格亦在国际大厂强扮推手、大量生产下，在短短1个月内，报价从3.6美元一路大跌，目前eTT价格已跌破2美元，只剩1.96美元，尽管各家DRAM厂纷由512Mb转进1Gb产品，然现阶段各厂1Gb产品已处于赔钱状态，只是比512Mb产品少赔一点。

内存业者表示，目前1颗1Gb DDR2成本约2.5~3美元，512Mb成本则约1.5~2美元，视良率高低而定，但现在不论是生产1Gb或512Mb产品，都是呈现亏损，更直截了当地说，现在只要是用在个人计算机(PC)中的DRAM，都是赔钱在卖。

台DRAM厂指出，2008年上半年整个产业趋势将是各厂大量由512Mb转进1Gb容量，因此，随着1Gb DRAM大量产出，价格势必大幅滑落，加上2008年下半年DDR2可望进一步转进到DDR3，2008年将是全球DRAM产业相当重要的变革年。

模块厂则认为，1GB模块若采16颗512Mb颗粒生产，其实成本仍高于采8颗1Gb颗粒生产，目前终端零售1GB模块已是市场主流，生产上则仍以512Mb颗粒形式为主，但整个市场主流将很快推向2GB模块，届时将会采16颗1Gb颗粒生产。